Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип памяти Volatile
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q100
- Время доступа 3.5 ns
- Рабочая температура -40°C ~ 105°C (TC)
- Формат памяти DRAM
- Объем памяти 4Gbit
- Организация памяти 256M x 16
- Технология SDRAM - Mobile LPDDR4
- Корпус 200-WFBGA
- Тактовая частота 1.866 GHz
- Напряжение питания 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Время цикла записи - Слово, Страница 18ns
- Интерфейс памяти LVSTL
- Поставщик Устройство Корпус 200-FBGA (10x14.5)