规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 内存类型 Volatile
- 内存接口 Parallel
- 内存格式 DRAM
- 工作温度 -40°C ~ 95°C (TC)
- 内存容量 8Gbit
- 存储器结构 256M x 32
- 时钟频率 2.133 GHz
- 封装 / 外壳 200-VFBGA
- 技术 SDRAM - Mobile LPDDR4X
- 写入周期时间 - 字，页 18ns
- 供应商器件封装 200-FBGA (10x15)
- 电压 - 供电 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V